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高溫高壓（HTHP）法

*早是以石墨為原料的，引入適宜的金屬催化劑Fe、Co、Ni、Mn、Cr等，在2000K以上溫度，幾萬(wàn)個(gè)大氣壓下可以合成金剛石。目前，高溫高壓法只能生長(zhǎng)小顆粒的金剛石；在合成大顆粒金剛石單晶方面主要使用晶種法，在較高壓力和較高溫度下，幾天時(shí)間內(nèi)使晶種長(zhǎng)成粒度為幾個(gè)毫米，重達(dá)幾個(gè)克拉的寶石級(jí)人造金剛石，較長(zhǎng)時(shí)間的高溫高壓使得生產(chǎn)成本昂貴，設(shè)備要求苛刻。而且HTHP金剛石由于使用了金屬催化劑，使得金剛石中殘留有微量的金屬粒子，因此要想完全取代天然金剛石還有相當(dāng)?shù)木嚯x。
化學(xué)氣相沉積(CVD) 
化學(xué)氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使原料分解，生成碳原子或甲基原子團(tuán)等活性粒子，并在一定工藝條件下，在基材材料上沉積生長(zhǎng)金剛石膜的方法。常見的CVD方法包括：熱化學(xué)沉積法，等離子體化學(xué)氣相沉積法。等離子體化學(xué)氣相沉積法又可以分為直流等離子體化學(xué)氣相沉積法、射頻等離子體化學(xué)氣相沉積 法和微波等離子體化學(xué)氣相沉積法及微波電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法等。